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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明属于40位FLASH存储器应用领域，具体涉及一种EDAC码读写优化方法、系统、设备及存储介质。具体的，进行字节切换控制，将IO写访问控制逻辑使能；通过IO写操作将EDAC码写入FLASH储存器；将总线访问切换到IO读访问逻辑，将写入FLASH储存器中的数据通过EDAC字节IO读逻辑读出，并与写入FLASH储存器的数据进行比对；根据比对结果，判断写入数据是否正确；若写入数据正确，则将EDAC校验读访问控制逻辑使能。本发明对FLASH存储器中EDAC码的读写逻辑进行了改进和优化，通过字节切换的方式，实现对EDAC码的读取和正确性判断，提高了EDAC码存储的可靠性，提升了40位FLASH存储器的单粒子容错能力。
主权项：1.一种EDAC码读写优化方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：进行字节切换控制，将IO写访问控制逻辑使能；步骤二：通过IO写操作将EDAC码写入FLASH储存器；步骤三：将总线访问切换到IO读访问逻辑，将写入FLASH储存器中的数据通过EDAC字节IO读逻辑读出，并与写入FLASH储存器的数据进行比对；步骤四：根据比对结果，判断写入数据是否正确；若写入数据正确，则将EDAC校验读访问控制逻辑使能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种EDAC码读写优化方法、系统、设备及存储介质
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