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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日：2023-02-22
公开（公告）日：2023-08-18
公开（公告）号：CN219547152U
专利技术分类：..衬底夹持器或基座[2006.01]
专利摘要：本实用新型公开了一种MPCVD设备，其包括：反应腔室，其用于容纳反应气体；冷却基台，其设于反应腔室内；承载基板，其设于冷却基台上且用于承载籽晶；以及微波系统，其向反应腔室内释放用于激发反应气体产生活性基团的微波，以促使活性基团发生反应并在籽晶上完成晶体生长。其中，承载基板包括：基础部，其设于冷却基台上；中间部，其与基础部远离冷却基台的一侧相连；载物部，其与中间部远离基础部的一侧相连；以及凹槽部，其形成在基础部、载物部和中间部之间并环绕中间部。该MPCVD设备可以解决承载基板受热不均并改善晶体生长厚度不均的问题，进而改善晶体在承载基板上的生长环境，提高最终产品的生产效率和生长质量。
专利权项：1.一种MPCVD设备，其特征在于，包括：反应腔室，其用于容纳反应气体；冷却基台，其设于所述反应腔室内；承载基板，其设于所述冷却基台上且用于承载籽晶；以及微波系统，其向所述反应腔室内释放用于激发所述反应气体产生活性基团的微波，以促使所述活性基团发生反应并在所述籽晶上完成晶体生长；其中，所述承载基板包括：基础部，其设于所述冷却基台上；中间部，其与所述基础部远离所述冷却基台的一侧相连；载物部，其与所述中间部远离所述基础部的一侧相连；以及凹槽部，其形成在所述基础部、载物部和中间部之间并环绕所述中间部。
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 MPCVD设备
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