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集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法 

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申请/专利权人:南京华瑞微集成电路有限公司

摘要:本发明公开了集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法。所述低压超结DMOS结构包括主MOS管、启动MOS管、采样MOS管和多晶电阻;主MOS管的漏极、采样MOS管的漏极与启动MOS管的漏极连接在一起,主MOS管的栅极与采样MOS管的栅极连接,启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与启动MOS管的漏极连接,各MOS管的源极经接触孔与有源区金属相连并接零电位,各MOS管之间设置隔离结构,隔离结构通过深槽形成。本发明将采样、启动功能和功率DMOS集成,提高电路的集成度,降低电路中启动损耗和电流采样损耗,从而降低待机功耗,提高能源转换效率。

主权项:1.集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构,包括主MOS管,其特征在于:还包括启动MOS管、采样MOS管和多晶电阻;所述主MOS管的漏极、采样MOS管的漏极与启动MOS管的漏极连接在一起,主MOS管的栅极与采样MOS管的栅极连接,启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与启动MOS管的漏极连接,各MOS管的源极经接触孔与有源区金属相连并接零电位,各MOS管之间设置隔离结构,所述隔离结构通过深槽形成;所述采样管的沟槽走向和启动管的沟槽走向为垂直90°,采样管的数量少于启动管的数量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京华瑞微集成电路有限公司 集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法

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