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草酸辅助生长的FPEA2SnI4-FPEA2PbI4单晶异质结X射线探测器及制备 

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申请/专利权人:吉林大学

摘要:草酸辅助生长的FPEA2SnI4‑FPEA2PbI4单晶异质结X射线探测器及制备,属于X射线探测技术领域。本发明使用草酸还原剂辅助制备FPEA2SnI4单晶,使其质量和稳定性得到了显著改善,缺陷密度降低了一个数量级。本发明提供的FPEA2SnI4‑FPEA2PbI4单晶异质结X射线探测器,可用于80kV的X射线检测。由于FPEA2PbI4和FPEA2SnI4之间能级匹配,该X射线探测器结合了锡钙钛矿良好的电荷传输性能和铅钙钛矿的相对稳定性,使得单晶异质结X射线探测器的灵敏度提高到1.7×105μC·Gy‑1·cm‑2。这种新型X射线探测器结合了锡钙钛矿和铅钙钛矿的优势,为下一代产品提供了新的机遇与挑战。

主权项:1.一种草酸还原剂辅助生长的FPEA2SnI4单晶光电器件的制备方法,其步骤如下:a将对氟苯乙胺碘盐FPEAI、SnI2与H2C2O4按照摩尔比2:1:0.5溶于甲醇中,在60~70℃下搅拌溶解至黄色澄清溶液,然后用0.22μm的聚四氟乙烯滤头快速热过滤,将过滤好的溶液在该温度下静置稳定20~40min;b将步骤a制备的溶液快速降温,待表面开始析出小晶体后,用镊子取出一些小晶体用无尘纸擦干作为籽晶使用;c将步骤b的溶液升温至所有的小晶体溶解,溶液变为澄清状态后稳定20~40min;然后开始降温,待溶液饱和后放入步骤b得到的籽晶,继续降温生长,20~30h后得到六边形形状、上下表面平整的FPEA2SnI4单晶,用镊子将其从溶液取出后用无尘纸快速将单晶表面的溶液擦干并于手套箱中保存;d将步骤c得到的FPEA2SnI4单晶上下表面分别打磨,最后双面抛光;e在步骤d得到的FPEA2SnI4单晶一侧表面蒸镀Cr电极,厚度为15~20nm;f在步骤e得到的FPEA2SnI4单晶另一侧表面蒸镀电子传输层C60,厚度为20~30nm;g在步骤f得到的电子传输层C60上蒸镀空穴阻挡层BCP,厚度为8~10nm;h在步骤g得到的空穴阻挡层BCP上蒸镀阴极Au,厚度为20~30nm,得到基于FPEA2SnI4单晶的光电器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 吉林大学 草酸辅助生长的FPEA2SnI4-FPEA2PbI4单晶异质结X射线探测器及制备

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