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申请/专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日：2016-11-09
公开（公告）日：2023-10-31
公开（公告）号：CN108292706B
专利技术分类：..载流子注入层[2023.01]
专利摘要：本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
专利权项：1.一种与包含基本上共价的基质材料的半导体层相邻的金属层，所述金属层包含第一金属和第二金属，其中a所述第一金属是Na；并且b所述第二金属是Zn，其中所述金属层是通过包括以下步骤的方法制备的：在小于10-2Pa的压力下共蒸发在蒸发源中提供的组合物，所述蒸发源被加热至100℃至600℃的温度，其中所述组合物包含作为所述第一金属的Na和作为所述第二金属的Zn。
百度查询： 诺瓦尔德股份有限公司 包含碱金属和第二金属的金属层
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皖公网安备 34010402703815号