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申请/专利权人:南京华瑞微集成电路有限公司
摘要:本发明公开了一种在晶圆上获取最多晶粒的方法及计算机可读介质。该方法包括以四象限原则把Map分为四个区域,并把每个晶粒视作一个矩形,并根据最大行数MaxY及最大列数MaxX绘制晶粒坐标矩阵M1,把当前晶圆中心坐标及有效晶粒总数记录到有效晶粒坐标矩阵M2,利用偏移后的晶圆中心坐标重新绘制晶粒坐标矩阵M1,再将偏移后的晶圆中心坐标及有效晶粒总数记录到有效晶粒坐标矩阵M2,对有效晶粒坐标矩阵M2进行排序,找到最大的有效晶粒数量及其对应的晶圆中心坐标,以最大的有效晶粒数量对应的晶圆中心坐标及光罩图形尺寸在晶圆上绘制Map显示图。本发明可优化晶粒排列布局,得到最大的有效晶粒数量,可以得到更加经济的产出。
主权项:1.一种在晶圆上获取最多晶粒的方法,其特征在于,包括:步骤1、以四象限原则把Map分为四个区域,以0,0作为晶圆中心坐标,并把每个晶粒视作一个矩形;步骤2、计算每个象限内的有效晶粒排列的最大行数MaxY,并在MaxY范围内,计算每行有效晶粒排列的最大列数MaxX;并根据最大行数MaxY及最大列数MaxX,从第一象限至第四象限开始在MaxX和MaxY范围内逐行逐列排布晶粒,并为每个晶粒分配四个顶点的坐标,四个顶点的坐标根据象限不同赋予对应的正负值,形成晶粒坐标矩阵M1;然后通过计算四个顶点到晶圆中心的距离来判断当前晶粒是否有效,若四个顶点的距离都小于等于晶圆的有效半径,则判断为晶粒有效,否则,判断为无效晶粒,并将每一晶粒的状态添加到晶粒坐标矩阵M1;步骤3、把当前晶圆中心坐标及有效晶粒总数记录到有效晶粒坐标矩阵M2;步骤4、根据晶粒尺寸设定晶圆中心偏移量(OX,OY),其中,OX为在X轴上的偏移量,OY为在Y轴上的偏移量,然后用偏移后的晶圆中心坐标按照步骤2重新绘制晶粒坐标矩阵M1,再利用步骤3将偏移后的晶圆中心坐标及有效晶粒总数记录到有效晶粒坐标矩阵M2;步骤5、对有效晶粒坐标矩阵M2进行排序,找到最大的有效晶粒数量及其对应的晶圆中心坐标;步骤6、以最大的有效晶粒数量对应的晶圆中心坐标及光罩图形尺寸在晶圆上绘制Map显示图。
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