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申请/专利权人：深圳市芯存科技有限公司
摘要：本发明公开了一种低功耗待机nandflash芯片结构及其制备方法，涉及芯片技术领域。该低功耗待机nandflash芯片结构，包括单硅片以及由单硅片上下堆叠形成的多层堆叠硅，还包括：通孔，所述通孔设在单硅片上，且通孔具有两端口，且两端口的直径不同；填充铜，所述填充铜位于喷铜层内表面；凸起部位，所述凸起部位是通过绝缘层、阻挡层和喷铜层靠近通孔小直径的一端形成的，该低功耗待机nandflash芯片结构，通过将通孔设置了一端为大直径端一端为小直径端的结构，并且在小直径端设置凸起部位，凸起部位与自身上的填充铜能够插入下方通孔的大直径端内，缩小整个多层堆叠硅的高度，进一步将芯片提高微型化。
主权项：1.一种低功耗待机nandflash芯片结构，包括单硅片1以及由单硅片1上下堆叠形成的多层堆叠硅14，其特征在于：还包括：通孔，所述通孔设在单硅片1上，且通孔具有两端口，且两端口的直径不同；绝缘层、阻挡层和喷铜层，所述绝缘层、阻挡层和喷铜层从通孔的内壁向着圆心的方向依次设置，且绝缘层、阻挡层和喷铜层适配通孔的内壁；填充铜13，所述填充铜13位于喷铜层内表面；凸起部位，所述凸起部位是通过绝缘层、阻挡层和喷铜层靠近通孔小直径的一端形成的，且凸起部位凸出于通孔小直径端，上方的所述通孔的凸起部位能够插入下方通孔的大直径端内，所述通孔的大直径端设有容纳空间4。
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权利要求：
百度查询： 深圳市芯存科技有限公司 一种低功耗待机nandflash芯片结构及其制备方法
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