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基于SLCC的宽带芯片电容器、集成电路芯片及功率放大器 

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申请/专利权人:优镓科技(苏州)有限公司

摘要:本实用新型公开了一种基于SLCC的宽带芯片电容器和集成电路芯片,其中宽带芯片电容器包括第一金属层、介质层、第二金属层和半导体层,介质层位于第一金属层和第二金属层之间,第一金属层为环状,围绕在半导体层外,半导体层的外缘与第一金属层的内环相接,第一金属层的面积小于介质层的面积。本实用新型通过半导体层的设计,利用其导电率较低的特性,使SLCC呈现一定的电阻特性,表面其他部分仍旧采用导电率较高的金属层保证其电容特性。这种结构在一定程度上克服了传统电容带宽限制问题,使单个SLCC电容以及其所在的芯片能覆盖较宽的带宽。

主权项:1.一种基于SLCC的宽带芯片电容器,其特征在于,包括第一金属层、介质层、第二金属层和半导体层,所述介质层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间,所述第一金属层为环状,围绕在所述半导体层外,所述半导体层的外缘与所述第一金属层的内环相接,所述第一金属层的面积小于所述介质层的面积。

全文数据:

权利要求:

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