买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

摘要：一种三层并联的增强型GaN‑HFET及其制备方法。涉及半导体技术领域。本发明的技术方案是：制备三层向上叠加的异质结结构，利用每一层结构下层高阻氮化镓层和上层氮化硅保护层隔离不同层电性，使不同层结构的电性相互不影响；每一层均有完整的栅、漏、源极区域，通过在终端做两段栅、源、漏方形金属通孔，使三层结构的栅、漏、源极实现金属互联；此外H离子钝化P‑GaN工艺也避免了刻蚀工艺带来的刻蚀损伤，大大提升了器件的可靠性能力。使用此结构制备的YJGAN65030C1器件具有680V的耐压，具有30A的通流。与市场上同耐压、同尺寸的SJSimos和SiCmos相比，通流方面有显著的优势。

主权项：1.一种三层并联的增强型GaN-HFET制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，选取硅衬底并进行P型掺杂；S200，硅衬底上异质外延生长渐变的AlGaN过渡层；按生长先后顺序为第一过渡层材料Al0.8Ga0.2N，第二过渡层材料Al0.5Ga0.5N和第三过渡层材料Al0.2Ga0.8N；S300，在第三过渡层材料Al0.2Ga0.8N上异质外延生长GaN高阻层；S400，在GaN高阻层上生长GaN沟道层；S500，在GaN沟道层上生长AlGaN势垒层；S600，在AlGaN势垒层上沉积P型GaN帽层；S700，将器件终端区域用高能F离子注入；破坏终端处P-GaN层、AlGaN势垒层，GaN沟道层和GaN高阻层晶格原子，使终端与源区隔离开；S800，源、漏极区域制备欧姆金属；S900，栅极区域制备肖特基金属；S1000，将栅极区域的P-Gan保护，源区其余部分的P-Gan均注入H离子钝化；S1100，沉积氮化硅保护层，并做平坦化处理；S1200，依次重复步骤S300~S1000，制作第二层结构；S1300，栅、源、漏极同步在终端位置刻蚀出方形通孔，在刻蚀后的通孔中填充金属，做第一段金属通孔，然后作平坦化处理；S1400，沉积氮化硅保护层，并做平坦化处理；S1500，重复步骤S1200步做第三层结构；S1600，栅、源、漏极同步在终端位置刻蚀出通孔，在通孔中填充金属，做第二段金属通孔，然后作平坦化处理；S1700，沉积氮化硅保护层，并做平坦化处理；S1800，沉积PI胶钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法