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申请/专利权人：河南省科学院碳基复合材料研究院
摘要：本发明公开了一种利用自蔓延辅助固溶体掺杂技术制备Hf,TaB2‑MoSi2阻氧涂层的方法，包括称取钽、铪、硼单质粉原料，通过自蔓延反应制备Hf,TaB2固溶粉体；按配比称取Hf,TaB2固溶粉体与商业粉MoSi2并进行二维混料；将混合粉体填充进石墨模具中，并均匀包裹清洗好的碳材料基体，放入放电等离子烧结炉中进行烧结；烧结完毕打磨后得到Hf,TaB2‑MoSi2阻氧涂层；本发明克服了现有Hf,TaB2‑MoSi2阻氧涂层制备方法存在的原料粉反应温度高、保温时间长、涂层制备复杂、制备周期长，阻氧防护温区有待提高等问题，具有瞬时点然自蔓延反应的特点，以及降低反应温度、缩短反应时间、简化涂层整体制备流程等优势，并可有效提高Hf,TaB2‑MoSi2粉体的烧结活性，促进阻氧涂层致密化烧结，具有提升阻氧涂层的抗氧化性能的效果。
主权项：1.一种利用自蔓延辅助固溶体掺杂技术制备Hf,TaB2-MoSi2阻氧涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）以钽、铪、硼单质粉为原料，按摩尔配比混合、研磨，得到混合前驱粉体；（2）将混合前驱粉体于压片机中压片，取出坯体放入自蔓延反应炉中，连接好钨丝电源并抽真空，其中，真空范围：50~80Pa；（3）开启钨丝电源点火，待反应完毕后取出产物并研磨，得到Hf,TaB2固溶粉体；（4）按1:1摩尔配比称取Hf,TaB2固溶粉体与商业粉MoSi2并进行二维混料，混合后得到Hf,TaB2-MoSi2混合粉体；（5）将Hf,TaB2-MoSi2混合粉体填充进石墨模具中，并均匀包裹清洗好的碳材料基体，放入放电等离子烧结炉中进行烧结；（6）烧结完毕后，取出产物，打磨后得到Hf,TaB2-MoSi2阻氧涂层；合成后得到的Hf,TaB2-MoSi2阻氧涂层的化学组成为：Hf1-xTaxB2-MoSi2x=0.01~0.04，其中，Hf与Ta元素以固溶体的形式存在于Hf,TaB2中。
全文数据：
权利要求：
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