龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
摘要：提供了一种用于制造薄膜电阻器TFR模块的镶嵌方法。一对头部彼此间隔开地形成。电介质区域被沉积在该一对头部上，并且在电介质区域中形成在两个头部上延伸的开口。TFR层被沉积在电介质区域上并且延伸到开口中以限定杯形TFR层结构，该杯形TFR层结构包括：a侧向延伸的TFR元件基底，该侧向延伸的TFR元件基底导电地连接到两个头部；以及b竖直脊，该竖直脊从侧向延伸的TFR元件基底向上延伸。执行高密度等离子体HDP脊去除工艺以从杯形TFR层结构去除或缩短竖直脊，从而限定具有经去除或缩短的竖直脊的TFR元件。竖直脊的去除或缩短能够改善TFR元件的电阻温度系数TCR特性。
主权项：1.一种用于制造薄膜电阻器TFR模块的方法，所述方法包括：形成彼此间隔开的一对头部；在所述一对头部上沉积电介质区域；在所述电介质区域中形成开口，所述开口在所述一对头部中的每个头部的至少部分宽度上延伸；在所述电介质区域上沉积TFR层并且延伸到所述开口中以限定杯形TFR层结构，所述杯形TFR层结构包括：a侧向延伸的TFR元件基底，所述侧向延伸的TFR元件基底导电地连接到两个头部；以及b竖直脊，所述竖直脊从所述侧向延伸的TFR元件基底向上延伸；以及执行高密度等离子体脊去除工艺以从所述杯形TFR层结构去除或缩短所述竖直脊，从而限定具有经去除或缩短的竖直脊的TFR元件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 薄膜电阻器(TFR)模块
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号