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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
摘要：本申请提供一种CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻，涉及半导体技术领域，解决了相关技术中制备CrSi薄膜电阻的制备过程复杂的问题，本申请的CrSi薄膜电阻通过采用干法刻蚀的工艺进行刻蚀，可以很好地控制薄膜电阻的形貌，且在结构上本方案的CrSi薄膜电阻更加简单。对于大尺寸晶圆的大批量生产，本申请的CrSi薄膜电阻的制备流程简便，并且能够有效地控制薄膜电阻的形貌，以使得其具有较大优势，有助于提升生产效率。
主权项：1.一种CrSi薄膜电阻制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并在所述衬底上沉积形成第一介质层；在所述第一介质层上嵌入金属导线；在所述第一介质层上沉积形成第二介质层，并在所述第二介质层刻蚀形成连通所述金属导线的通孔；使用金属化合物填充所述通孔；在所述第二介质层沉积形成具有预设长度的CrSi薄膜电阻；在所述CrSi薄膜电阻上沉积形成第三介质层，以通过所述第三介质层包裹所述CrSi薄膜电阻。
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权利要求：
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