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申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请公开了一种基于GaN器件的可变电阻及装备，涉及GaN器件领域。该可变电阻包括沟道层、势垒层、两个欧姆接触电极和至少一个电流限制电极，势垒层层叠在沟道层上，电流限制电极位于势垒层上；两个欧姆接触电极分别位于势垒层上有源区的两侧，至少存在一个欧姆接触电极与一个电流限制电极相短接。该可变电阻与受保护功率器件串联形成装备，在流经该装备的电流突然增大时，该可变电阻的饱和电压较小，可变电阻先进入饱和电流区，由于该可变电阻的饱和电流较小，使得装备中整体电流最终钳制在可变电阻的饱和电流。本申请能降低功率器件的饱和电流密度，提高短路能力。
主权项：1.一种基于GaN器件的可变电阻，其特征在于，所述基于GaN器件的可变电阻包括：沟道层、势垒层、两个欧姆接触电极和至少一个电流限制电极；势垒层层叠在沟道层上，电流限制电极位于势垒层上；两个欧姆接触电极分别位于势垒层上有源区的两侧；至少存在一个欧姆接触电极与一个电流限制电极相短接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种基于GaN器件的可变电阻及装备
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