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申请/专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司
摘要：本发明提供一种去除单晶硅表面退火氧化物的工艺方法，属于单晶硅清洗技术领域。具体包括以下步骤：步骤S1、对单晶硅进行碱洗处理，以去除单晶硅表面的残胶等有机物；步骤S2、碱洗完成后，将单晶硅浸泡在氢氟酸中，以去除单晶硅表面的退火氧化物；步骤S3、氢氟酸浸泡结束后，通过混合酸对单晶硅进行酸洗，以去除单晶硅表面剩余的退火氧化物及杂质。按照本发明的方法清洗后的单晶硅表面光泽度高，可以一次性去除单晶硅表面的退火氧化层，从而降低了返洗率，提高了生产效率，同时减少了酸耗和清洗成本。
主权项：1.一种去除单晶硅表面退火氧化物的工艺方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、对单晶硅进行碱洗处理，以去除单晶硅表面的残胶等有机物；步骤S2、碱洗完成后，将单晶硅浸泡在氢氟酸中，以去除单晶硅表面的退火氧化物；步骤S3、氢氟酸浸泡结束后，通过混合酸对单晶硅进行酸洗，以去除单晶硅表面剩余的退火氧化物及杂质。
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权利要求：
百度查询： 宁夏申和新材料科技有限公司 去除单晶硅表面退火氧化物的工艺方法
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