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申请/专利权人：成都高投芯未半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种IGBT器件制备方法及半导体器件，涉及半导体制备工艺。其中，IGBT器件制备方法包括：提供一晶圆；对晶圆进行背面减薄，得到减薄面；然后在减薄面上进行激光退火，得到熔融层，以调整减薄面的均匀性。随后对熔融层进行刻蚀，得到刻蚀面。最后在刻蚀面形成阳极层，并在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明利用激光退火等背金工艺会涉及到的常规设备修复减薄面，得到熔融层，并对熔融层进行刻蚀，以在不增加设备成本的基础上，改善减薄面的高低落差，并去除减薄面残留的硅渣，达到修缮减薄面的目的，进而改善半导体器件的电性。
主权项：1.一种IGBT器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆；对所述晶圆进行背面减薄，得到减薄面；对所述减薄面进行激光退火，得到熔融层，以调整所述减薄面的均匀性；对所述熔融层进行刻蚀，得到刻蚀面；在所述刻蚀面形成阳极层，并在所述阳极层上沉积金属，形成集电极。
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权利要求：
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