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申请/专利权人：北一半导体科技(广东)有限公司
摘要：本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，涉及半导体芯片制造技术领域；该器件包括沟槽，沟槽开设在IGBT器件内，沟槽内壁设置有器件栅极氧化层，器件栅极氧化层上设置有栅极，栅极包括由外到内依次设置的底层多晶硅栅极、金属栅极与顶层多晶硅栅极，底层多晶硅栅极设置在器件栅极氧化层远离沟槽内壁的一侧。在器件栅极氧化层远离沟槽内壁的一侧依次设置底层多晶硅栅极、金属栅极与顶层多晶硅栅极，三层栅极结构，可以大幅降低栅极电阻，从原来的10‑15R口，降低至1R口以下，接近金属方阻，栅极电压通过沟槽内的中间的金属栅极传导至每一个元胞，大幅提升了器件对栅极电压的响应，进而提升了器件的开关速度，提升了didt能力。
主权项：1.一种IGBT器件，包括沟槽，所述沟槽开设在所述IGBT器件内，所述沟槽内壁设置有器件栅极氧化层6，所述器件栅极氧化层6上设置有栅极，其特征在于，所述栅极包括由外到内依次设置的底层多晶硅栅极10、金属栅极11与顶层多晶硅栅极12，所述底层多晶硅栅极10设置在所述器件栅极氧化层6远离所述沟槽内壁的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北一半导体科技(广东)有限公司 一种IGBT器件及其制作方法
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