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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
摘要：本发明公开了一种CrSi电阻薄膜的制备方法、飞秒激光等离子通道退火装置和近红外飞秒激光诱导背面去除装置，该CrSi电阻薄膜的制备方法包括在氧化硅片衬底上镀制铬硅镍钼金属薄膜；采用近红外飞秒激光诱导背面去除选定区域的铬硅镍钼金属薄膜；在铬硅镍钼金属薄膜上形成铝铜合金电极；采用飞秒激光等离子通道退火技术热处理步骤S3的铬硅镍钼金属薄膜；在热处理后的铬硅镍钼金属薄膜上图案化PI钝化层。该制备方法制备得到的CrSi电阻薄膜边缘粗糙度较低，薄膜电阻的精度和稳定性较高。
主权项：1.一种CrSi电阻薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S1、在氧化硅片衬底上镀制铬硅镍钼金属薄膜；S2、采用近红外飞秒激光诱导背面去除选定区域的铬硅镍钼金属薄膜；S3、在铬硅镍钼金属薄膜上形成铝铜合金电极；S4、采用飞秒激光等离子通道退火技术热处理步骤S3的铬硅镍钼金属薄膜；S5、在热处理后的铬硅镍钼金属薄膜上图案化PI钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 一种CrSi电阻薄膜的制备方法
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