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一种CrSi靶材及其制备方法与应用 

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申请/专利权人:先导薄膜材料(安徽)有限公司

摘要:本发明公开了一种CrSi靶材及其制备方法与应用,属于金属加工领域,本发明所述方法通过特定的原料混合以及特殊的阶段程序式烧结和压力控制工艺,使得制备的产品在不依赖特殊设备或者严苛条件的情况下即可达到高致密度和高纯度的要求,同时Cr‑Si元素的含量控制稳定性高,产品综合品质高,可实现工业化批量生产。

主权项:1.一种CrSi靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1将Si粉和Cr粉混合,在保护气氛下球磨处理后,得混合粉体,所述混合粉体的粒径Dv50≤50μm;2将混合粉体在真空环境下进行预压处理,得粗靶坯;3将粗靶坯在真空环境下以15~20℃min的速率一次升温至600~800℃,同时在环境压力达到6~10MPa时,以1.5~3MPamin的速率泄压3~6min;4随后以8~10℃min的速率二次升温至1150~1250℃,同时在环境压力达到5~8MPa时以1~2MPamin的速率泄压2~5min;5在1150~1250℃下保温30~60min,同时在环境压力达到3~5MPa时以0.5~1MPamin的速率泄压3~6min;6保温结束后,以以0.3~0.5MPamin速率加压至35~40MPa并继续保温保压90~150min,冷却,即得所述CrSi靶材。

全文数据:

权利要求:

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