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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种用于宽带卷积处理的二维智能边缘器件及其低热预算的制备方法和应用，包括栅控衬底、双极性二维半导体、二维贵族金属硫族化合物、漏极和源极；双极性二维半导体制备于栅控衬底表面；二维贵族金属硫族化合物一端制备于栅控衬底表面，另一端延伸至双极性二维半导体表面，二维贵族金属硫族化合物与双极性二维半导体的重叠部分形成肖特基异质结；漏极制备于双极性二维半导体表面；源极制备于二维贵族金属硫族化合物表面。与现有技术相比，本发明解决现有技术中实现二维异质结的主流工艺缺乏稳定性和可扩展性的问题，本方案的低温TAC工艺具有优异的CMOS兼容性。
主权项：1.一种用于宽带卷积处理的二维智能边缘器件，其特征在于，包括栅控衬底1001、双极性二维半导体1002、二维贵族金属硫族化合物3001、漏极4001和源极4002；所述的双极性二维半导体1002制备于栅控衬底1001表面；所述的二维贵族金属硫族化合物3001一端制备于栅控衬底1001表面，另一端延伸至双极性二维半导体1002表面，二维贵族金属硫族化合物3001与双极性二维半导体1002的重叠部分形成肖特基异质结；所述的漏极4001制备于双极性二维半导体1002表面；所述的源极4002制备于二维贵族金属硫族化合物3001表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种用于宽带卷积处理的二维智能边缘器件及其低热预算的制备方法和应用
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