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申请/专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
摘要：本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种超高密度的ITO靶材制备工艺。本发明的超高密度的ITO靶材制备工艺，包括以下步骤：原材料选择、初步砂磨、二次砂磨、混合砂磨、造粒、冷压、烧结；所述原材料为氧化铟粉末和氧化锡粉末。本发明的超高密度的ITO靶材制备工艺，最终得到的靶材具有超高的密度以及较低的电阻率，能够很好的作为测控溅射制备薄膜的原料。且步骤简单，适合大规模量产。
主权项：1.一种超高密度的ITO靶材制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：氧化锡粉末的比面积为8-11m2g，氧化铟粉末的比表面积为6-9m2g；S2：将等量的氧化锡粉末和去离子水进行混合砂磨，得到初步砂磨浆料；S3：将氧化石墨烯加入到初步砂磨浆料中，加入复合分散剂，球磨1-3h，得到二次砂磨浆料；S4：将等量的氧化铟粉末和去离子水加入到二次砂磨浆料中，随后再加入粘接剂、消泡剂，进行砂磨，得到混合浆料；S5：将混合浆料进行喷雾造粒，得到复合粉末；S6：将复合粉末进行冷压成型，得到预成型体；S7：将预成型体进行烧结，得到超高密度的ITO靶材；步骤S3中所述复合分散剂为聚丙烯酸铵和十二烷基苯磺酸钠按照重量比为10:0.5-1混合而成。
全文数据：
权利要求：
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