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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

摘要：本公开提供了一种基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法，该激光器包括：III‑V族或IV族化合物半导体激光器1，用于产生激光，SOI波导结构2，用于输出激光；其中，III‑V族或IV族化合物半导体激光器1至少包括由多层外延层构成的有源脊波导110、电隔离层108‑1、108‑2、正电极、负电极和衬底101，所述正、负电极设于所述衬底101的同一侧，SOI波导结构2，至少包括硅波导210和复合金属层211，硅波导210与有源脊波导110表面接触，利用倏逝波耦合原理，使III‑V族或IV族化合物半导体激光器产生的光经过损耗较低的N型掺杂层耦合到硅波导中，复合金属层211分设于硅波导210两侧，分别与正、负电极键合连接。

主权项：1.一种基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器，其特征在于，包括：III-V族或IV族化合物半导体激光器1，至少包括由多层外延层构成的有源脊波导110、电隔离层108-1、108-2、正电极、负电极和衬底101，其中，所述正电极、负电极设于所述衬底101的同一侧；SOI波导结构2，至少包括硅波导210和复合金属层211，其中，所述硅波导210为条形或脊形，与所述有源脊波导110表面接触，所述复合金属层211分设于所述硅波导210两侧，分别与所述正电极、负电极键合连接；所述多层外延层包括P型重掺杂层102、P型掺杂层103、有源层、N型掺杂层107，按照与所述衬底101的距离由小变大的顺序依次生长在所述衬底101上；以上各层均由III-V族或IV族元素组成的物质构成；所述有源层包括P型分离限制异质结层104、多量子阱有源层105、N型分离限制异质结层106，按照与所述衬底101的距离由小变大的顺序依次生长；所述多层外延层上刻蚀有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽之间的所述多层外延层构成所述有源脊波导110；所述SOI波导结构2由SOI圆片制备，所述SOI波导结构2还包括：硅衬底213；埋氧层212，生长于所述硅衬底213上；所述硅波导210由生长在所述埋氧层212上的顶层硅制备，且所述硅波导210两侧的埋氧层212被刻蚀，所述复合金属层211生长在刻蚀埋氧层212露出的硅衬底213的表面上，所述复合金属层211与所述硅波导210之间存在空隙。

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