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申请/专利权人：苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅沉积载体硅芯搭桥装置，包括设置在还原炉的底盘上的一组两个电极，所述电极上竖直安装有硅芯，两根所述硅芯顶部设置有一硅芯横梁，相同单位长度时，所述硅芯横梁的表面积相较于所述硅芯的表面积多10％‑100％。本实用新型能够缓解困扰行业内横梁及横梁下0.5m范围内硅芯放射区深度裂纹菜花珊瑚料现象。
主权项：1.一种多晶硅沉积载体硅芯搭桥装置，包括设置在还原炉的底盘上的一组两个电极，所述电极上竖直安装有硅芯，两根所述硅芯顶部设置有一硅芯横梁，其特征在于：相同单位长度时，所述硅芯横梁的表面积相较于所述硅芯的表面积多10％-100％。
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百度查询： 苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司 一种多晶硅沉积载体硅芯搭桥装置及还原炉
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