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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
摘要：本公开实施例公开了用于检测硅晶圆的残余应力的方法、系统以及硅晶圆，所述方法包括：当待测硅晶圆处于第一物理状态时，分别沿待测硅晶圆的径向和周向朝向待测硅晶圆的表面发射偏振光束，并获得径向上的偏振光束和周向上的偏振光束之间的第一光程差；当待测硅晶圆处于第二物理状态时，分别沿所述待测硅晶圆的径向和周向朝向所述待测硅晶圆的表面发射偏振光束，并获得径向上的偏振光束和周向上的偏振光束之间的第二光程差；基于第一光程差、第一光程差与待测硅晶圆的光弹性系数之间的第一比例关系、第二光程差以及第二光程差与光弹性系数之间的第二比例关系，获得光弹性系数；基于光弹性系数与第一比例关系，获得待测硅晶圆的残余应力。
主权项：1.一种用于检测硅晶圆的残余应力的方法，其特征在于，所述方法包括：当待测硅晶圆处于第一物理状态时，分别沿所述待测硅晶圆的径向和周向朝向所述待测硅晶圆的表面发射偏振光束，并获得所述径向上的所述偏振光束和所述周向上的所述偏振光束之间的第一光程差；当所述待测硅晶圆处于第二物理状态时，分别沿所述待测硅晶圆的径向和周向朝向所述待测硅晶圆的表面发射偏振光束，并获得所述径向上的所述偏振光束和所述周向上的所述偏振光束之间的第二光程差；其中，所述第一物理状态下的所述待测硅晶圆对应的角速度小于所述第二物理状态下的所述待测硅晶圆对应的角速度；基于所述第一光程差、所述第一光程差与所述待测硅晶圆的光弹性系数之间的第一比例关系、所述第二光程差以及所述第二光程差与所述光弹性系数之间的第二比例关系，获得所述光弹性系数；基于所述光弹性系数与所述第一比例关系，获得所述待测硅晶圆的残余应力。
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百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 用于检测硅晶圆的残余应力的方法、系统以及硅晶圆
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