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申请/专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要：本发明涉及电子级多晶硅生产技术领域，具体涉及一种消除区熔硅棒内部残余应力的方法，包括使用氩气置换还原炉内的氢气，此时温度仍处在较大的范围，防止氢气向硅棒扩散，降低硅与氢的结合，置换完成后，启动炉内的加热器并维持硅棒的温度一定的时间；最后切断硅棒电流，通过控制加热器的输出不断降低硅棒的温度至一定的范围后，氩气的流量保持不变，能通过分阶段、精确的气体流量和温度控制，能够有效消除硅棒内部的应力残余，减少断裂风险；在降温过程中通过合理控制硅棒内外层的温度梯度，避免温度梯度过大导致应力集中，通过使用氦气置换氢气，在还原炉内营造无氢环境，避免氢气向硅棒上扩散，有助于降低区熔硅的缺陷，提高产品质量。
主权项：1.一种消除区熔硅棒内部残余应力的方法，其特征在于，包括：S10：利用三氯氢硅和氢气在反应器内沉积得到区熔用硅棒；S20：在第一时间段内，降低三氯氢硅进气流量直至0，缓慢降低氢气流量至初始流量的5%~20%，将反应炉内的氯硅烷置换完全，并维持硅棒表面温度为T1；S30：在第二时间段内，调整硅棒表面温度为T2；S40：在第三时间段内，用高纯氦气置换反应炉内的氢气，置换完全后，调节氦气的流量与最终氢气的流量一致，维持温度为T2；S50：在第四时间段内，在还原炉内植入加热器并通电启动，维持硅棒表面温度为T2；S60：在第五时间段内，切断通过硅棒的电流，调节加热器的电流，并将氦气流量调节至原流量的1%~10%，以将硅棒表面温度缓慢调整至T3。
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权利要求：
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