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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开一种基于高电子迁移率的超快惠更斯超表面，涉及太赫兹器件技术领域，解决目前现有的太赫兹调制器调制速率较低、开关比和带宽较小以及稳定性不足的问题；本发明包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的外延层、设置于外延层上的双层结构的调制单元阵列；所述双层结构的调制单元阵列的每个调制单元结构包括顶层套嵌2DEG的级联I型结构即I‑2DEG、底层双开口谐振环即DSRR；所述I‑2DEG包括：源极谐振器、漏极谐振器、栅极连接线，半导体掺杂异质结构，所述DSRR结构包括两个开口谐振环；本发明采用了双层金属结构以及单层可控半导体结合的模式进行设计，相较于其他的太赫兹幅度调制器可以实现高效的高透的太赫兹波的调控。
主权项：1.一种基于高电子迁移率的超快惠更斯超表面，其特征在于，包括依次从下到上设计的半导体衬底5、外延层6、以及双层结构的调制单元阵列；所述双层结构的调制单元阵列包括多个调制单元结构4，所述调制单元结构4包括顶层的套嵌2DEG级联I型结构即I-2DEG结构12和底层的双开口谐振环即DSRR结构13；所述I-2DEG结构12包括：源极谐振器7、漏极谐振器8、栅极连接线9和半导体掺杂异质结构11，所述DSRR结构13包括两个开口谐振环。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于高电子迁移率的超快惠更斯超表面
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