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申请/专利权人：ASM IP私人控股有限公司

申请日：2019-05-29

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN112204166B

专利技术分类：.局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的[2006.01]

专利摘要：公开了一种渗透设备。所述渗透设备可以包括：反应室，其被构造和布置成容纳其上具备可渗透材料的至少一个衬底；第一前体源，其被构造和布置成提供包含硅化合物的第一前体的蒸气；前体分布系统和去除系统，其被构造和布置成向所述反应室提供来自所述第一前体源的所述第一前体的蒸气并从所述反应室去除所述第一前体的蒸气；和顺序控制器，其可操作地连接到所述前体分布系统和去除系统，并且包含存储器，所述存储器具备一定程序以当在所述顺序控制器上运行时通过以下操作执行所述可渗透材料的渗透；启动所述前体分布系统和去除系统以将所述第一前体的蒸气提供到所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料，由此使所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料通过所述第一前体的蒸气与所述可渗透材料的反应而被硅原子渗透。还提供渗透方法和包括渗透材料的半导体装置结构。

专利权项：1.一种渗透设备，其包含：反应室，其被构造和布置成容纳其上具备可渗透材料的至少一个衬底；第一前体源，其被构造和布置成提供包含硅化合物的第一前体的蒸气；前体分布系统和去除系统，其被构造和布置成向所述反应室提供来自所述第一前体源的所述第一前体的蒸气并从所述反应室去除所述第一前体的蒸气；和顺序控制器，其可操作地连接到所述前体分布系统和去除系统，并且包含存储器，所述存储器具备一定程序以当在所述顺序控制器上运行时通过以下操作执行所述可渗透材料的渗透：启动所述前体分布系统和去除系统以将所述第一前体的蒸气提供到所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料持续第一时间段T1，由此使所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料通过所述第一前体的蒸气与所述可渗透材料的反应而被硅原子渗透；以及吹扫所述反应室持续第二时间段T2，重复提供所述第一前体的所述步骤和随后吹扫所述反应室的所述步骤一次或多次，直到所需原子百分比的硅原子渗透到所述可渗透材料中为止，其中被渗透的可渗透材料包含大于0.1原子百分比的硅原子，其中所述可渗透材料包含光致抗蚀剂、极紫外EUV抗蚀剂、化学放大型抗蚀剂CAR、电子束抗蚀剂、浸没式光致抗蚀剂、多孔材料或硬掩模材料中的至少一种，其中所述设备包含第二前体源，其被构造和布置成提供包括硅化合物的第二前体的蒸气；并且所述前体分布系统和去除系统被构造和布置成向所述反应室提供来自所述第二前体源的所述第二前体的蒸气，并且所述存储器中的所述程序被编程以在所述顺序控制器上运行时通过以下操作执行所述可渗透材料的渗透；启动所述前体分布系统和去除系统以将所述第二前体的蒸气提供到所述反应室，由此所述反应室内的所述衬底上的所述可渗透材料被来自所述第二前体的蒸气的硅原子渗透，其中所述设备为顺序渗透合成设备，其进一步包含：反应物源容器和反应物供应管线，其被构造和布置成将包含氧前体的反应物提供到所述反应室，其中所述顺序控制器的所述存储器中的所述程序被编程以当在所述顺序控制器上运行时通过以下操作执行所述可渗透材料的渗透：启动所述前体分布系统和所述去除系统以从所述反应室去除气体；以及启动所述前体分布系统和去除系统以将所述包含氧前体的反应物提供到所述反应室，由此通过所述第一前体、所述第二前体和所述包含氧前体的反应物与所述可渗透材料的反应，使所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料被硅原子和氧原子渗透。

百度查询： ASM IP私人控股有限公司 渗透设备和渗透可渗透材料的方法