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申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司
摘要：本发明提供一种具有N埋层的SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：N埋层；所述N埋层位于P+屏蔽层的两侧；所述P+屏蔽层位于沟槽下方。本发明通过在P+屏蔽层的两侧设置离子浓度高于N‑drift层的N埋层，从而减弱P+屏蔽层与N‑drift层形成的PN结时耗尽区的展宽，能够扩大P+屏蔽层两侧的电流通路，提高了电流密度，从而提高SiCUMOS的导电能力。
主权项：1.一种具有N埋层的SiCUMOS，其特征在于，包括：N埋层；所述N埋层位于P+屏蔽层的两侧；所述P+屏蔽层位于沟槽下方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种具有N埋层的SiC UMOS及制备方法
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