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申请/专利权人：上海铭锟半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种基于倏逝波调控的波导光栅天线及制造方法，该波导光栅天线包括由下至上的体硅衬底、第一氧化层、器件层和第二氧化层；其中，所述器件层设有间隔预设距离的光栅结构和波导结构，所述波导结构配置为在接收到输入光时，将所述输入光耦合至光栅结构，所述光栅结构配置为将接收的耦合光发射至自由空间。本发明通过在单个器件层中实现光栅结构和波导结构的制备，降低了工艺的复杂度，不需要将光栅刻蚀深度控制到几个纳米，降低了工艺的难度，可轻松实现毫米量级的有效发射长度，解决了目前在单个器件层中制作毫米量级有效发射长度的波导光栅天线的制造难度大的技术问题。
主权项：1.一种基于倏逝波调控的波导光栅天线，其特征在于，包括由下至上的体硅衬底、第一氧化层、器件层和第二氧化层；其中，所述器件层设有间隔预设距离的光栅结构和波导结构，所述波导结构配置为在接收到输入光时，将所述输入光耦合至光栅结构，所述光栅结构配置为将接收的耦合光发射至自由空间；所述光栅结构通过设置于所述器件层顶部的若干条第一沟槽构成，所述第一沟槽的深度小于等于器件层的厚度；所述波导结构通过设置于所述器件层顶部的两条第二沟槽构成，所述第二沟槽的深度等于器件层的厚度；通过控制所述预设距离来控制所述光栅结构的扰动强度，其中，通过降低所述扰动强度来提高所述光栅结构的有效发射长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海铭锟半导体有限公司 基于倏逝波调控的波导光栅天线及制造方法
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