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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-08-08
公开（公告）日：2024-04-09
公开（公告）号：CN220753440U
专利技术分类：....金属—绝缘体—半导体，例如MOS[2006.01]
专利摘要：一种电容装置、以及半导体装置，电容装置包含半导体基材与凹槽在半导体基材中。绝缘结构设在凹槽中。电容装置也包含半导体柱从半导体基材凸伸，且绝缘结构围绕半导体柱。单晶半导体区设在半导体柱上，且绝缘结构围绕半导体柱以形成电容装置的底板。电容装置包含电容介电层设在底板上以及顶板设在电容介电层上。
专利权项：1.一种电容装置，其特征在于，包含：一半导体基材；一凹槽在该半导体基材中；一绝缘结构设在该凹槽中；一半导体柱从该半导体基材凸伸，且该绝缘结构围绕该半导体柱；一单晶半导体区设在该半导体柱上，且该绝缘结构围绕该柱以形成该电容装置的一底板；一电容介电层设在该底板上；以及一顶板设在该电容介电层上。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 电容装置、以及半导体装置
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