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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开一种SnBiB4C辐射屏蔽复合材料的制备方法，该材料选用高原子序数且密度较大、可加工性强和耐腐蚀性的SnBi合金作为基体，轻质高强、稳定性好和中子反应截面大的B4C颗粒作为增强填料，通过粉末冶金工艺成型，得到了一种强度高、具备同时屏蔽热中子、γ射线、X射线和α粒子等辐射的能力的复合材料；与传统的功能单一的铅γ射线屏蔽材料相比，本发明制备得到的SnBiB4C辐射屏蔽复合材料解决了其无法屏蔽中子辐射的问题，而且所选用的原材料均无毒性，因此该复合材料有望替代铅用于医疗领域的辐射屏蔽。
主权项：1.一种SnBiB4C辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在惰性气体保护下，将Sn粉、Bi粉、B4C粉、无水乙醇和正丁醇搅拌混匀，得到混合物；步骤二、将步骤一得到的混合物在惰性气体保护下进行球磨，获得复合粉末溶液；步骤三、在惰性气体保护下，将步骤二中得到的复合粉末溶液边搅拌边加热至液体挥发殆尽，得到复合粉末；步骤四、将步骤三中得到的复合粉末放入模具中冷压成型，得到复合材料坯体；步骤五、将步骤四中得到的复合坯体在真空热压炉内，在惰性气体保护下，进行热压烧结，冷却后得到SnBiB4C辐射屏蔽复合材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种SnBi/B4C辐射屏蔽复合材料的制备方法
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