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申请/专利权人：西安建筑科技大学
摘要：本发明公开了一种膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片及制备方法，包括：将QCM‑D二氧化硅基础芯片在强碱高温条件下进行活化处理；对膨润土颗粒进行预处理，并配制膨润土纳米颗粒悬浮液；将已活化的二氧化硅基础芯片的正面浸渍于聚乙烯亚胺溶液中，形成均一粘接层；将所得含有粘结层的芯片浸渍于膨润土纳米颗粒悬浮液中，之后用氮气吹干并置于150℃烘箱中进行热处理，获得膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片。该方法实现了基础芯片表面纳米级厚度、均匀且不易脱落膨润土功能层的制备，获得了膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片，利用该芯片可实现水体中污染物在膨润土表面吸附累积行为的监测。
主权项：1.一种膨润土纳米颗粒QCM-D芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：二氧化硅基础芯片活化处理：将二氧化硅基础芯片的正面浸渍于NaOH溶液中，之后置于超纯水中漂洗，接着将其置于真空烘箱中，待用；膨润土纳米颗粒悬浮液配制：采用高温煅烧结合双氧水氧化技术对膨润土颗粒进行清洗，将已清洗的膨润土颗粒溶于超纯水中进行臭氧氧化预处理，最后配制膨润土纳米颗粒悬浮液，待用；粘结层制备：将活化处理后的二氧化硅基础芯片的正面浸渍于聚乙烯亚胺溶液中，之后将芯片表面吹干；膨润土功能层的制备：将所得覆有粘结层的二氧化硅基础芯片的正面浸渍于膨润土纳米颗粒悬浮液中，之后吹干并于烘箱中静置，获得膨润土纳米颗粒QCM-D芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安建筑科技大学 一种膨润土纳米颗粒QCM-D芯片及制备方法
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