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申请/专利权人：之江实验室

摘要：本发明公开了区别真实读串扰和伪读串扰的阻变存储器的故障检测方法，包括如下步骤：S1，采样操作，包括如下步骤：S11，置位操作对阻变存储器施加置位电压，使阻变存储器处于低阻态；复位操作对阻变存储器施加复位电压，使阻变存储器处于高阻态；S12，采样操作分别对阻变存储器施加读取电压，读取置位操作后的阻变存储器处于低阻态的第一、第二阻值；读取复位操作后的阻变存储器处于高阻态的第三、第四阻值；S2，判断识别操作，包括如下步骤：S21，判断第一阻值和第二阻值是否处于低阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰；S22，判断第三阻值和第四阻值是否处于高阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰。

主权项：1.区别真实读串扰和伪读串扰的阻变存储器的故障检测方法，其特征在于包括一个以上测试周期，在每个测试周期中对阻变存储器进行采样操作和判断识别操作，采样操作包括置位采样操作和复位采样才做，置位采样操作包括置位操作、第一采样操作和第二采样操作，复位采样操作包括复位操作、第三采样操作和第四采样操作，具体步骤如下：S1，对阻变存储器进行采样操作，包括如下步骤：S11，置位操作对阻变存储器施加置位电压，使阻变存储器处于低阻态；复位操作对阻变存储器施加复位电压，使阻变存储器处于高阻态；S12，第一、第二采样操作分别对阻变存储器施加读取电压，读取置位操作后的阻变存储器处于低阻态的第一、第二阻值；第三、第四采样操作分别对阻变存储器施加读取电压，读取复位操作后的阻变存储器处于高阻态的第三、第四阻值；第一、第二采样操作的读取条件一致，第三、第四采样操作的读取条件一致；S2，对阻变存储器进行判断识别操作，包括如下步骤：S21，判断第一阻值和第二阻值是否处于低阻态区间内，当第一阻值处于低阻态区间内，而第二阻值处于高阻态区间内，则标记阻变存储器为真实读串扰；当第一阻值和第二阻值均处于低阻态区间内，且测试周期不为第一置位采样测试周期，则标记阻变存储器为伪读串扰；当第一阻值和第二阻值均处于低阻态区间内，且测试周期为第一置位采样测试周期，则标记阻变存储器为无读取串扰；当第一阻值和第二阻值均处于高阻态区间内，则修改采样操作的读取条件；S22，判断第三阻值和第四阻值是否处于高阻态区间内，当第三阻值处于高阻态区间内，而第四阻值处于低阻态区间内，则标记阻变存储器为真实读串扰；当第三阻值和第四阻值均处于高阻态区间内，且测试周期不为第一复位采样测试周期，则标记阻变存储器为伪读串扰；当第三阻值和第四阻值均处于高阻态区间内，且测试周期为第一复位采样测试周期，则标记阻变存储器为无读取串扰；当第三阻值和第四阻值均处于低阻态区间内，则修改采样操作的读取条件。

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