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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本发明的实施例涉及用于测试可例如用于耦合半导体存储器装置的多个存储器裸片的硅衬底穿孔TSV的电阻的设备及方法。力放大器可选择性地提供沿着网状布线结构且穿过待测试TSV的已知电流。所述力放大器可定位于所述存储器装置的空区域上，而所述网状布线结构可定位于所述装置的层的所述TSV下方的区域中。截波器仪表放大器可选择性地耦合到所述待测试TSV以放大由穿过所述TSV的所述电流产生的跨越所述TSV的电压。所述截波器仪表放大器能够确定所述TSV的小电阻值。
主权项：1.一种半导体设备，其包括：接口IF裸片；及至少一个存储器裸片，其中所述至少一个存储器裸片通过至少一个硅衬底穿孔TSV堆叠于所述IF裸片上方，使得电流在所述IF裸片与所述至少一个存储器裸片之间流动穿过所述至少一个TSV；其中所述IF裸片包括：电流流动穿过的第一导电线，及放大器，其耦合到所述至少一个TSV且经配置以输出与跨越所述至少一个TSV的电压有关的信号；其中所述至少一个存储器裸片包括所述电流流动穿过的第二导电线；且其中所述第一导电线包括网状布线结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于高灵敏度TSV电阻测量电路的设备及方法
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