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申请/专利权人：广东众元半导体科技有限公司
摘要：本实用新型提供一种用于MPCVD设备的层流罩结构，主要包含有反应腔体支撑板、设备操作箱、喷淋板、匀流腔、挡板、气体过滤板、增压风机、顶盖。本实用新型中，气体从气体入口一和气体入口二进入上匀流腔，在增压风机的作用下通过气体过滤板进入下匀流腔，再通过喷淋板进入设备操作箱，气体在设备操作箱内形成层流流动，最后通过下挡板一和下挡板二与反应腔支撑板的间隙排出到MPCVD设备外部，从而为MPCVD反应腔体的操作和运行提供一个洁净的层流环境。
主权项：1.一种用于MPCVD设备的层流罩结构，包含有反应腔体支撑板102、设备操作箱118、喷淋板109、气体过滤板114、增压风机112、顶盖108，其特征在于，反应腔体支撑板102安装在设备基台119和设备操作箱118之间，MPCVD反应腔体101安装在反应腔体支撑板102上，所述MPCVD反应腔体101上方依次安装有喷淋板109、气体过滤板114、增压风机112和顶盖108，所述喷淋板109和气体过滤板114之间形成下匀流腔110，所述气体过滤板114与顶盖108之间形成上匀流腔115，上匀流腔115内设置有增压风机112，所述增压风机112安装在顶盖108上，增压风机112由安装在电气柜117内的电气控制系统116提供供电和控制，所述顶盖108安装有气体入口一111和气体入口二113，在反应腔体支撑板102左右两侧分别安装有侧边板107和电气柜117，在反应腔体支撑板102前后两侧分别安装有上挡板一105、下挡板一103、上挡板二106和下挡板二104，所述上挡板一105和上挡板二106固定安装在侧边板107和电气柜117之间，下挡板一103和下挡板二104可以上下移动，其中，气体从气体入口一111和气体入口二113进入上匀流腔115，在增压风机112的作用下通过气体过滤板114进入下匀流腔110，再通过喷淋板109进入设备操作箱118，气体在设备操作箱118内形成层流流动，最后通过下挡板一103和下挡板二104与反应腔支撑板102的间隙排出到MPCVD设备外部。
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