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申请/专利权人：桂林电子科技大学
摘要：本发明公开一种基于连续体准束缚态Quasi‑BIC强圆二色性的手性超表面器件，其结构由嵌入在各向异性介质中成对的硅Si介电棒构成，其中每对介电棒都有一个小的垂直位移d以消除镜像对称。本设计结构可以在650～700nm的近红外波长范围内实现强CD响应，当沿前向+Z或者后向‑Z入射圆偏振光时，结构会表现出相反的CD响应，并且使用旋转调制的方式可以使得最大CD响应为1。本设计所提出的方法新颖且容易实现，未来有望在对纳米光子学的柔性调谐和增强手性响应方面做出重要贡献。
主权项：1.一种基于Quasi-BIC强圆二色性的手性超表面器件，其特征在于：整体结构c由嵌入在各向异性介质中成对的硅Si介电棒b构成，其中每对介电棒都有一个小的垂直位移d＝41.8nma以消除镜像对称。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林电子科技大学 基于Quasi-BIC强圆二色性的手性超表面器件设计
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