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一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法 

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申请/专利权人:山东省科学院激光研究所

摘要:本申请涉及半导体器件技术领域,提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法,制备方法包括提供一层衬底;在衬底上依次生长缓冲层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层和P‑空间层;在P‑空间层上沉积介质绝缘材料层;刻蚀形成多个孔状结构;在介质绝缘材料层上生长P‑DBR;刻蚀P‑DBR,得到多个柱状结构;在衬底背离缓冲层的一侧沉积第一电极,在柱状结构上沉积第二电极。该制备方法利用选择性刻蚀以及薄膜沉积的方式制备电极限制结构层,能够有效降低生产工艺难度,降低生产成本。且该制备方法不受制备尺寸的限制,能够实现较大尺寸晶圆结构的生长和制备,提高了制备效率。

主权项:1.一种长波长垂直腔表面发射激光器的制备方法,其特征在于,包括:提供一层N-InP衬底;采用金属氧化物化学沉积技术或分子束外延技术在所述N-InP衬底上依次生长N-InP缓冲层、N-InPInGaAs的DBR结构、N-InP空间层、周期性AlInGaAsInAlGaAs多量子阱层和P-InP空间层;采用PECVD或者溅射或者电子束蒸发或者ALD技术在所述P-InP空间层上沉积介质绝缘材料层;采用光刻技术和RIE技术刻蚀所述介质绝缘材料层,形成多个孔状结构;其中,多个所述孔状结构阵列排布在所述介质绝缘材料层,所述孔状结构的高度与所述介质绝缘材料层的高度相同;采用金属氧化物化学沉积技术或分子束外延技术在所述介质绝缘材料层上生长P-AlInGaAsInP的DBR结构;采用光刻技术和ICP刻蚀技术刻蚀所述P-AlInGaAsInP的DBR结构,得到多个柱状DBR结构;其中,所述柱状DBR结构覆盖所述孔状结构,所述柱状DBR结构与所述孔状结构一一对应,且所述柱状DBR结构的直径大于所述孔状结构的直径;在所述N-InP衬底背离所述N-InP缓冲层的一侧沉积第一电极,在所述柱状DBR结构上沉积第二电极,以得到长波长垂直腔表面发射激光器;其中,所述第二电极与所述柱状DBR结构一一对应。

全文数据:

权利要求:

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