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一种晶圆融合集成多结长波长面发射激光器及制作方法 

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申请/专利权人:深圳技术大学

摘要:本发明公开了一种晶圆融合集成多结长波长面发射激光器及制作方法,包括:面发射激光器VCSEL结构和调制器EOM结构;面发射激光器VCSEL结构由下及上依次包括GaAs基衬底、GaAs缓冲层、第一N型掺杂DBR、谐振腔、掩埋隧道结、填平层、P型掺杂DBR;调制器EOM结构由下及上包括P型掺杂DBR、第一波导层、吸收层、第二波导层、第二N型掺杂DBR;面发射激光器VCSEL结构和调制器EOM结构共用P型掺杂DBR。本发明能显著改善散热问题,减小出射光的发散角,提升输出光束质量。

主权项:1.一种晶圆融合集成多结长波长面发射激光器,其特征在于,包括:面发射激光器VCSEL结构和调制器EOM结构;所述面发射激光器VCSEL结构由下及上依次包括GaAs基衬底、GaAs缓冲层、第一N型掺杂DBR、谐振腔、掩埋隧道结、填平层、P型掺杂DBR;所述调制器EOM结构由下及上包括P型掺杂DBR、第一波导层、吸收层、第二波导层、第二N型掺杂DBR;所述面发射激光器VCSEL结构和调制器EOM结构共用P型掺杂DBR。

全文数据:

权利要求:

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