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半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法 

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申请/专利权人:安徽华晟新能源科技股份有限公司

摘要:本发明涉及太阳能电池的制备技术领域,具体提供一种半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法。半导体衬底层的形成方法,提供半导体衬底层;在所述半导体衬底层的至少一侧表面进行制绒处理,以使所述半导体衬底层的至少一侧表面呈绒面;所述绒面包括若干微结构单元;对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面通过酸性处理液配合氧化手段或电化学手段进行腐蚀处理,在所述微结构单元表面形成若干孔洞结构。本发明提供的半导体衬底层的形成方法,在部分所述绒面形成若干孔洞结构进一步降低半导体衬底层表面的反射率。

主权项:1.一种半导体衬底层的形成方法,包括:提供半导体衬底层;在所述半导体衬底层的至少一侧表面进行制绒处理,以使所述半导体衬底层的至少一侧表面呈绒面;所述绒面包括若干微结构单元;其特征在于,对所述半导体衬底层呈绒面的一侧表面通过酸性处理液配合氧化手段或电化学手段进行腐蚀处理,在所述微结构单元表面形成若干孔洞结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽华晟新能源科技股份有限公司 半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法

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