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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：半导体结构包括设置在半导体衬底上方的半导体层的第一堆叠件，其中半导体层的第一堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个Si层，并且Si层基本上不含Ge；以及邻近半导体层的第一堆叠件的半导体层的第二堆叠件，其中半导体层的第二堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个第二SiGe层，并且其中第一SiGe层和第二SiGe层具有不同的组分。半导体结构还包括与半导体层的第一堆叠件交错以形成第一器件的第一金属栅极堆叠件和与半导体层的第二堆叠件交错以形成不同于第一器件的第二器件的第二金属栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：半导体层的第一堆叠件，设置在半导体衬底上方，其中，所述半导体层的第一堆叠件包括第一硅锗SiGe层和设置在所述第一硅锗层上方的多个硅Si层，并且其中，所述硅层不含锗；半导体层的第二堆叠件，邻近所述半导体层的第一堆叠件设置，其中，所述半导体层的第二堆叠件包括所述第一硅锗层和设置在所述第一硅锗层上方的多个第二硅锗层，并且其中，所述第一硅锗层和所述第二硅锗层具有不同的组分，其中，所述第一硅锗层中的锗的组分小于20％，并且其中，至少一个所述第二硅锗层中的锗的组分为至少20％；第一金属栅极堆叠件，与所述半导体层的第一堆叠件交错以形成第一器件；以及第二金属栅极堆叠件，与所述半导体层的第二堆叠件交错以形成第二器件，其中，所述第一器件和所述第二器件具有不同的导电类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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