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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了掩膜版及其形成方法，该掩膜版包括：透明基板；掩膜图形层，位于所述透明基板的表面，包括用于形成器件结构的芯片区和在所述芯片区之外设置的用于形成对位标记的标记区；其中，所述标记区的遮光率根据所述标记区所布局图形的线宽确定，所述标记区所布局图形的线宽小于阈值的情况下所述标记区的遮光率大于0且小于1。本申请使得基于掩膜版上的对位标记能够在半导体衬底上形成清晰的对位图形。
主权项：1.一种掩膜版，包括：透明基板；掩膜图形层，位于所述透明基板的表面，包括用于形成器件结构的芯片区和在所述芯片区之外设置的用于形成对位图形的标记区；其中，所述标记区的遮光率根据所述标记区所布局图形的线宽确定，所述标记区所布局图形的线宽小于阈值的情况下所述标记区的遮光率大于0且小于1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 掩膜版及其形成方法
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