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一种高压电系数低损耗的PNN-PHT材料及其制备方法 

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申请/专利权人:南京理工大学

摘要:本发明公开了一种高压电系数低损耗的PNN‑PHT材料及其制备方法。本发明所述PNN‑PNT三元压电陶瓷的化学式为xMnNb2O6‑0.51PbHf0.3Ti0.7O3‑0.49PbNil3Nb23O3,其中,0.0%<x≤1.0%。本发明通过锰掺杂,在保证高压电系数的前提下,有效的提升了PNN‑PHT材料的机械品质因数,大幅度降低了材料的介电损耗,获得了优异的综合性能,同时制备方法简单、工艺步骤简单,过程易于控制,可重复性高,成品率高。

主权项:1.一种PNN-PNT三元压电陶瓷,其特征在于,所述PNN-PNT三元压电陶瓷的化学式为xMnNb2O6-0.51PbHf0.3Ti0.7O3-0.49PbNil3Nb23O3,其中,0.0%<x≤1.0%。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京理工大学 一种高压电系数低损耗的PNN-PHT材料及其制备方法

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