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申请/专利权人：欧浦登(顺昌)光学有限公司;福州欧浦登光电有限公司
摘要：本发明公开了一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其采用喷砂设备先在硅片表面形成微米级麻面层，而后在微米级麻面层表面进一步制造纳米级麻面层，而后通过蚀刻工艺最终形成纳米级麻面层完全去浊后光滑透光，微米级麻面层去蚀工序后仍留有低反射的半透明浊度层的复合绒面结构。其工艺过程简单，微米麻面层以及纳米麻面层的深度稳定可控、成型精度高，形成的微纳浊透复合结构不但增大了太阳能电池片晶体硅的受光的面积，并且受光照角度影响小，能接受的斜光束大，无论是晨阳还是夕阳的微弱阳光均能有效响应，制得的太阳能电池片可水平摆放，细微的纳米级透亮的浅坑十分利于吸收微弱的反射光，全方位提高了红橙弱光利用率。
主权项：1.一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：S1:将平均粒径为10～40微米的砂粒和水充分搅拌混合形成微米级水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将微米级水砂混合物均匀地喷射至硅片表面直至硅片表面形成微米级麻面层；S2:将平均粒径为1～2微米的砂粒和水充分搅拌混合形成纳米级的水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将纳米级的水砂混合物均匀地喷射至步骤S1得到的硅片表面，在微米级麻面层表面形成纳米级麻面层；S3:将喷砂完毕的硅片放入蚀刻液内蚀刻得到微纳浊透复合绒面制品，所述蚀刻液为氢氟酸与硝酸混合液，所述氢氟酸物质的量浓度为1.0molL～1.4molL，所述硝酸物质的量浓度为11molL～15molL，蚀刻时间为35～80min，蚀刻温度为5～15℃，至硅片表面呈现凹凸起伏、浊透相间状态。
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百度查询： 欧浦登(顺昌)光学有限公司 福州欧浦登光电有限公司 晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用
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