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申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司
摘要：本申请提供了一种16位D触发器，涉及半导体技术领域；该16位D触发器包括：依次连接的控制时钟输入模块、数据输入触发器模块和三态输出模块；在16位D触发器的版图设计中，采用保护环工艺，在MOS管外加N+或P+隔离保护环；保护层加工工艺采用高抗辐照材料氮化硅工艺；设计平坦化工艺；封装设计采用具有抗辐照陶瓷高密封性管壳封装工艺。该D触发器是一种高抗辐照带三态输出的触发器，可以将抗辐照能力提高到300KradSi。
主权项：1.一种16位D触发器，其特征在于，所述16位D触发器包括：依次连接的控制时钟输入模块、数据输入触发器模块和三态输出模块；在所述16位D触发器的版图设计中，采用保护环工艺，在MOS管外加N+或P+隔离保护环；保护层加工工艺采用高抗辐照材料氮化硅工艺；设计平坦化工艺；封装设计采用具有抗辐照陶瓷高密封性管壳封装工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 16位D触发器
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