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申请/专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
摘要：本申请提出了一种砷化镓单晶生长状态检测方法及装置，包括以下步骤：设置第一数量的光纤探头布设在反应坩埚内，使用光纤探头来获取拉曼光谱图像，使用优化算法对光纤探头的布设位置进行优化；将所述拉曼光谱图像输入到训练好的判断‑分析模型中，所述判断‑分析模型包括判断网络以及分析网络，所述判断网络基于拉曼光谱图像判断反应坩埚内的砷化镓是否存在位错，若是则再将拉曼光谱图像输入到分析网络中得到位错原因。本方案通过使用优化算法来对反应坩埚中光纤探头的位置进行优化，确保可以最高效、准确的获取拉曼光谱图像，再由神经网络对砷化镓的生长状态进行检测。
主权项：1.一种砷化镓单晶生长状态检测方法，其特征在于，包括：在制备砷化镓单晶的反应坩埚内构建三维坐标空间，设置第一数量的光纤探头布设在反应坩埚内，所述光纤探头用于将激光发射到砷化镓表面并收集散射光传输到拉曼光谱仪中得到拉曼光谱图像，其中，以每一光纤探头在所述三维坐标空间内的可安装位置的三维坐标作为变量，并以所有光纤探头获取散射光的光谱峰值强度以及散射光收集效率为目标函数对每一光纤探头的可安装位置进行优化；将所述拉曼光谱图像输入到训练好的判断-分析模型中，所述判断-分析模型包括判断网络以及分析网络，所述判断网络基于拉曼光谱图像判断反应坩埚内的砷化镓是否存在位错，若是则再将拉曼光谱图像输入到分析网络中得到位错原因。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江康鹏半导体有限公司 砷化镓单晶生长状态检测方法及装置
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