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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：形成穿过三维存储器器件中的后向阶梯式介电材料部分到达下层蚀刻停止结构的接触通孔开口。该蚀刻停止结构能够包括覆盖楼梯区中的阶梯式表面的阶梯式导电或半导体蚀刻停止板。该接触通孔开口延伸穿过该蚀刻停止结构。另选地，包括该楼梯区中的最顶部虚设导电层的导电层能够用作蚀刻停止结构。在此情况下，该接触通孔开口能够延伸穿过该导电层。绝缘间隔物形成在延伸的接触通孔开口的外围区处。由该绝缘间隔物围绕的接触通孔结构形成在该延伸的接触通孔开口中到达相应下层导电层。
主权项：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于衬底上方，其中所述交替堆叠包括：楼梯区，在所述楼梯区中，所述导电层的横向范围随着距所述衬底的竖直距离而减小；后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分覆盖所述交替堆叠的所述楼梯区；存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述交替堆叠，其中所述存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括相应竖直半导体沟道和相应存储器膜；导电或半导体穿孔蚀刻停止板，所述导电或半导体穿孔蚀刻停止板插置在所述交替堆叠与所述后向阶梯式介电材料部分的阶梯式底部表面之间；和横向绝缘接触结构，所述横向绝缘接触结构竖直延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分并且穿过所述穿孔蚀刻停止板中的穿孔开口中的相应一个穿孔开口，其中所述横向绝缘接触结构中的每个横向绝缘接触结构包括接触通孔结构与绝缘间隔物的组件，所述接触通孔结构接触所述导电层中的相应一个导电层的顶部表面，所述绝缘间隔物横向围绕所述接触通孔结构并且接触所述穿孔蚀刻停止板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包含蚀刻停止结构和自对准绝缘间隔物的三维存储器器件及其制造方法
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