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申请/专利权人：全磊光电股份有限公司

摘要：一种高性能低成本DFB激光器外延片，包括自下而上依次层叠设置的衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、上缓冲层、腐蚀阻挡层、包层、光栅制作层、二次外延层、势垒渐变层和欧姆接触层；所述光栅制作层分为光栅区和非光栅区。本发明提出了一种高性能低成本DFB激光器外延片及其制造方法，可以有效抑制激光器的空间烧孔效应，提升DFB激光器的边模抑制比，优化其光谱模式，降低了光栅光刻版的制作要求，提高了DFB激光器的产品良率，制造成本低。

主权项：1.一种高性能低成本DFB激光器外延片，其特征在于：包括自下而上依次层叠设置的衬底01、下缓冲层02、下限制层03、下波导层04、量子阱05、上波导层06、上限制层07、上缓冲层08、腐蚀阻挡层09、包层10、光栅制作层11、二次外延层14、势垒渐变层和欧姆接触层17；所述光栅制作层11分为光栅区和非光栅区；所述光栅制作层11制作时，先在光刻版后距离为d^2λ处进行曝光，再移动到距离为2d^2λ处进行曝光；所述高性能低成本DFB激光器外延片的制造方法，包括以下步骤：步骤一：把InP衬底01放入到MOCVD设备中，进行第一次外延生长；在所述衬底01的上表面依次生长下缓冲层02、下限制层03、下波导层04、量子阱05、上波导层06、上限制层07、上缓冲层08、腐蚀阻挡层09、包层10、光栅制作层11；第一次外延生长到所述光栅制作层11的Cap层；步骤二：取出上述外延片，在第一次外延表面形成光刻胶掩膜层12；步骤三：对上述外延片利用Talbot效应进行二次曝光、显影，形成非对称光栅结构；步骤四：对上述外延片进行蚀刻，将光刻胶上的图形转移到外延片上；步骤五：去除光刻胶掩膜，得到带有光栅结构的一次外延片；步骤六：把制作完光栅的一次外延片再次放入到MOCVD设备中进行二次外延生长；在所述光栅制作层11的上表面依次生长二次外延层14、第一势垒渐变层15、第二势垒渐变层16和欧姆接触层17，即形成完整的DFB外延结构；在步骤三中，光栅曝光的光源为短波单色紫外光源，波长200～280nm，将外延片水平放置在光刻版下方d^2λ距离处曝光10s，再将外延片向下移动，水平放置在2d^2λ位置处曝光10s，d为均匀光栅的光栅周期，λ为紫外光源的波长，总曝光时间为20s；在步骤二中，先在外延片表面旋涂光刻胶掩膜，进行匀胶处理、烘烤；选取碱性显影，常温显影10～12s，在外延片表面形成与光刻版12周期的光刻胶掩膜。

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