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申请/专利权人：魅杰光电科技(上海)有限公司

摘要：本发明涉及到应用于集成电路的套刻量测方法。在制备集成电路的晶圆上，由晶圆上布置的下一层标记的周边边缘与其下方的介质层的台阶式的交界处来定义出下一层标记的第一中心位置，由晶圆上布置的上一层标记的周边边缘与其下方的下一层标记的台阶式的交界处来定义出上一层标记的第二中心位置。对比第一中心位置和第二中心位置的误差而量测出下一层标记和上一层标记的套刻差异。

主权项：1.一种应用于集成电路的套刻量测方法，其特征在于：由晶圆上布置的下一层标记的周边边缘与下一层标记下方的介质层的台阶式的交界处来定义出下一层标记的第一中心位置；由晶圆上布置的上一层标记的周边边缘与上一层标记下方的下一层标记的台阶式的交界处来定义出上一层标记的第二中心位置；对比第一和第二中心位置的误差而量测出下一层和上一层标记的套刻差异；其中，第一左边界区至少框定下一层标记的局部左边缘交界，第一左边界区从介质层上跨而过渡到下一层标记，使第一左边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；第一右边界区至少框定下一层标记的局部右边缘交界，第一右边界区从下一层标记下跨而过渡到介质层，使第一右边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；基于第一左边界区和第一右边界区的灰度值情况而计算下一层标记的第一中心位置的横坐标；第二左边界区至少框定上一层标记的局部左边缘交界，第二左边界区从下一层标记上跨而过渡到上一层标记，使第二左边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；第二右边界区至少框定上一层标记的局部右边缘交界，第二右边界区从上一层标记下跨而过渡到下一层标记，使第二右边界区的灰度值沿横向具有多段上升和下降的趋势；基于第二左边界区和第二右边界区的灰度值情况而计算上一层标记的第二中心位置的横坐标；由对比第一和第二中心位置各自的横坐标的差异而量测出下一层标记和上一层标记在横向上的套刻差异；其中，表征第一左边界区的一个灰度值下降边的第一左线位置和表征第一左边界区的一个灰度值上升边的第一右线位置的均值作为第一左边界区的第一纵向中线；表征第一右边界区的一个灰度值下降边的第二左线位置和表征第一右边界区的一个灰度值上升边的第二右线位置的均值作为第一右边界区的第二纵向中线；第一和第二纵向中线上所有像素点的中点视为下一层标记的第一中心位置的横坐标；表征第二左边界区的一个灰度值下降边的第三左线位置和表征第二左边界区的一个灰度值上升边的第三右线位置的均值作为第二左边界区的第三纵向中线；表征第二右边界区的一个灰度值下降边的第四左线位置和表征第二右边界区的一个灰度值上升边的第四右线位置的均值作为第二右边界区的第四纵向中线；第三和第四纵向中线上所有像素点的中点视为上一层标记的第二中心位置的横坐标。

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