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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

摘要：提供一种将电荷存储在电荷存储单元上的固态摄像元件，其中，电荷转换为电压的转换效率得到提高。高灵敏度侧传输晶体管将电荷从高灵敏度光电二极管传输到第一电荷存储单元，所述高灵敏度光电二极管的灵敏度高于预定灵敏度。低灵敏度侧传输晶体管将电荷从低灵敏度光电二极管传输到第二电荷存储单元，所述低灵敏度光电二极管的灵敏度低于所述预定灵敏度。放大晶体管对第一电荷存储单元的电压进行放大。第一转化效率控制晶体管被构造成通过打开关闭第一电荷存储单元与第二电荷存储单元之间的通路来控制将电荷转换为电压的转换效率。第二转化效率控制晶体管被构造成通过打开关闭第二电荷存储单元与第三电荷存储单元之间的通路来控制转换效率。

主权项：1.一种固态摄像元件，包括：高灵敏度光电二极管，所述高灵敏度光电二极管的第一灵敏度高于预定灵敏度；第一电荷存储单元；高灵敏度侧传输晶体管，其被构造成将第一电荷从所述高灵敏度光电二极管传输到所述第一电荷存储单元；低灵敏度光电二极管，所述低灵敏度光电二极管的第二灵敏度低于所述预定灵敏度；第二电荷存储单元；低灵敏度侧传输晶体管，其被构造成将第二电荷从所述低灵敏度光电二极管传输到所述第二电荷存储单元；放大晶体管，其被构造成对所述第一电荷存储单元的电压进行放大；第一转化效率控制晶体管，其被构造成打开和关闭所述第一电荷存储单元与所述第二电荷存储单元之间的第一通路以控制所述固态摄像元件的转换效率，其中所述转换效率对应于所述第一电荷和所述第二电荷中的至少一个到电压的转换；第三电荷存储单元；第二转化效率控制晶体管，其被构造成打开和关闭所述第二电荷存储单元和所述第三电荷存储单元之间的第二通路以控制所述转换效率；选择晶体管；和驱动电路，所述驱动电路被构造成：驱动所述高灵敏度侧传输晶体管、所述低灵敏度侧传输晶体管、所述第一转化效率控制晶体管、所述第二转化效率控制晶体管以及所述选择晶体管中的各者；控制所述高灵敏度侧传输晶体管在所述第一转化效率控制晶体管接通而所述第二转化效率控制晶体管关断的第一时段内传输所述第一电荷；以及基于在所述第一时段内所述第一电荷的传输控制所述选择晶体管输出所放大的电压的第一信号作为第一电压信号。

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权利要求：

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