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申请/专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要：本发明属于半导体光电探测器领域，涉及高灵敏全日盲非晶氧化铟镓基光电晶体管及其制备方法，包括：栅极、栅介质层、晶体管有源层、源极以及漏极，晶体管有源层为非晶氧化铟镓薄膜，非晶氧化铟镓薄膜的禁带宽度大于等于4.43eV，吸收带边小于等于280nm；非晶氧化铟镓薄膜的生长气氛和退火气氛均为贫氧气氛；本发明通过控制非晶氧化铟镓薄膜生长时的溅射参数，进而控制In掺入的剂量，保证了非晶氧化铟镓薄膜的日盲紫外响应特性；本发明采用贫氧气氛作为氧化铟镓薄膜生长和热退火处理时的环境气氛，使薄膜内部的氧空位含量大幅增加，进而产生光电导增益并强化了薄膜中载流子的渗流传导，使晶体管具备较高的迁移率和优异的探测灵敏度。
主权项：1.高灵敏全日盲非晶氧化铟镓基光电晶体管，包括：栅极、栅介质层、晶体管有源层、源极以及漏极，其特征在于，所述晶体管有源层为非晶氧化铟镓薄膜，所述非晶氧化铟镓薄膜的禁带宽度大于等于4.43eV，吸收带边小于等于280nm。
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