龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
摘要：本发明提供了一种外延生长TMR的膜层结构及其制备方法、TMR传感器制备方法，可以应用于磁传感技术领域。外延生长TMR的膜层结构包括衬底，所述衬底上依次设置有NiAl缓冲层、MgO绝缘层、种子层、自由层、插入层、中间层、第一参考层、非铁磁层、第二参考层及反铁磁层，其中，所述NiAl缓冲层为001晶向的NiAl，晶格常数aNiAl为0.289nm；所述MgO绝缘层为001晶向的MgO，晶格常数aMgO为0.808nm，aMgO2＝0.404nm。
主权项：1.一种外延生长TMR的膜层结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设置有NiAl缓冲层、MgO绝缘层、种子层、自由层、插入层、中间层、第一参考层、非铁磁层、第二参考层及反铁磁层；其中，所述NiAl缓冲层为001晶向的NiAl，晶格常数aNiAl为0.289nm；所述MgO绝缘层为001晶向的MgO，晶格常数aMgO为0.808nm，aMgO2＝0.404nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院空天信息创新研究院 外延生长TMR的膜层结构及其制备方法、TMR传感器制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号